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常用的电路保护元件有哪些心水论坛

更新时间:2019-11-06      

  (1)随着电子产品发展的需求,IC的功能(集成度)也越来越强,其“身价”自然越来越高贵,因而需要加强保护。

  (2)为了降低功耗、减少发热、延长使用寿命,半导体元件和IC的工作电压越来越低,据SIA(美国半导体行业协会)统计,目前工作电压在1.5V左右,到2004年将降到1.2V以下,因而其抗过电流/过电压的能力需要适应新的保护要求。

  (3)移动式电子产品越来越多,如手持机、PDA、笔记本电脑、摄录机、数码相机、光盘机等,这些电子产品都需要电池组件作为,在电池组件和电池充电器中都必须配备保护元件。

  (4)在现代豪华型汽车中,装备的电子设备越来越多,而且工作条件比一般的电子产品更恶劣,如汽车行驶状况和环境瞬息万变、汽车起动时会产生很大的瞬间峰值电压等。因此,在为这些电子设备配套的电源适配器中,一般都需要同时安装过电流和过电压保护元件。

  (5)众多电力/电子产品都需要防止雷击以及电源线与电话线的交扰,以保证正常通信和用户人身安全。所以,随着电力/电子产品的发展,过电流/过电压保护元件的需求呈上升趋势。

  (6)据统计,在电子产品出现的故障中,有75%是由于过电流/过电压造成的。IBM曾分析过计算机电源的故障原因,其中88.5%是由于过电流/过电压造成的。随着人们对电子产品质量的苛求,制造厂家为了提高市场竞争力,就必须大量采用电路保护元件。

  防雷器件中应用最广泛的是陶瓷气体放电管,之所以说陶瓷气体放电管是应用最广泛的防雷器件,是因为无论是直流电源的防雷还是各种信号的防雷,陶瓷气体放电管都能起到很好的防护作用。其最大的特点是通流量大,级间电容小,绝缘电阻高,击穿电压可选范围大。

  半导体放电管是一种过压保护器件,是利用晶闸管原理制成的,依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电,可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压的范围,构成了过压保护的范围。固体放电管使用时可直接跨接在被保护电路两端。具有精确导通、快速响应(响应时间ns级)、浪涌吸收能力较强、双向对称、可靠性高等特点。

  玻璃放电管(强效放电管、防雷管)是20世纪末新推出的防雷器件,它兼有陶瓷气体放电管和半导体过压保护器的优点:绝缘电阻高(≥10^8Ω)、极间电容小(≤0.8pF)、放电电流较大(最大达3kA)、双向对称性、反应速度快(不存在冲击击穿的滞后现象)、性能稳定可靠、导通后电压较低,此外还有直流击穿电压高(最高达5000V)、体积小、寿命长等优点。其缺点是直流击穿电压分散性较大(±20%)。

  压敏电阻也是一种用得最多的限压器件。利用压敏电阻的非线性特性,当过电压出现在压敏电阻的两极间,压敏电阻可以将电压钳位到一个相对固定的电压值,从而实现对后级电路的保护。压敏电阻的响应时间为ns级,比空气放电管快,比TVS管稍慢一些,一般情况下用于电子电路的过电压保护其响应速度可以满足要求。压敏电阻的结电容一般在几百到几千pF的数量级范围,很多情况下不宜直接应用在高频信号线路的保护中,应用在交流电路的保护中时,因为其结电容较大会增加漏电流,在设计防护电路时需要充分考虑。压敏电阻的通流容量较大,但比气体放电管小。

  贴片压敏电阻主要用于保护元件和电路,防止在电源供应、控制和信号线、瞬态抑制二极管:

  广泛应用于半导体及敏感器件的保护,通常用于二级保护。基本都会是用于在陶瓷气体放电管之后的二级保护,也有用户直接将其用于产品的一级保护。其特点为反应速度快(为ps级),体积小,脉冲功率较大,箝位电压低等。其10/1000μs波脉冲功率从400W~30KW,脉冲峰值电流从0.52A~544A;击穿电压有从6.8V~550V的系列值,便于各种不同电压的电路使用。三、过流器件

  就是一种过流电子保护元件,采用高分子有机聚合物在高压、高温,硫化反应的条件下,搀加导电粒子材料后,经过特殊的工艺加工而成。自恢复保险丝(PPTC:高分子自恢复保险丝)是一种正温度系数聚合物热敏电阻,作过流保护用,可代替电流保险丝。电路正常工作时它的阻值很小(压降很小),当电路出现过流使它温度升高时,阻值急剧增大几个数量级,使电路中的电流减小到安全值以下,从而使后面的电路得到保护,过流消失后自动恢复为低阻值。四、静电元件

  的作用:电磁的关系相信大家都清楚,电感的作用就是在电路刚开始的时候,一切还不稳定的时候,如果电感中有电流通过,就一定会产生一个与电流方向相反的感应电流(法拉第

  定律(),等到电路运行了一段时间后,一切都稳定了,电流没有什么变化了,电磁感应也就不会产生电流,这时候就稳定了,不会出现突发性的变故,从而保证了电路的安全,就像水车,一开始由于阻力转动的比较慢,后来慢慢趋于平和。3、

  的作用:磁珠有很高的电阻率和磁导率,它等效于电阻和电感串联,但电阻值和电感值都随频率变化。它比普通的电感有更好的高频滤波特性,在高频时呈现阻性,所以能在相当宽的频率范围内保持较高的

  信息时代的每次革命都使人类的生活发生巨大改变。物联网(The Internet of things)作为新兴的信息变革,已经成为现今整个信息...

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  本文首先解释了电路保护的意义,然后解释了电路保护的类型,最后介绍了三种电路保护元件。

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  摘要:简要介绍EMI对策元件和过电压、过电流、过热电路保护元件的一些最新进展及其应用状况。心水论坛。 &nbs...

  由自举方式驱动内置的驱动晶体管,实现了输出电流2.0A高效率稳定电源。

  电路设计人员在选择保险丝时,应主要从两个方面来考虑:静态和动态。静态是指电压、电流、环境温度、尺寸、....

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  TVS3301器件可将高达27A的IEC 61000-4-5故障电流进行分流,以保护系统免受高功率瞬态冲击或雷击。器件可通过42Ω阻抗进行耦合的方式承受1kV的IEC 61000-4-5开路电压,满足常见的工业信号线使用反馈机制确保在故障期间发挥精确的平缓钳位能力,使系统接触电压始终低于传统TVS二极管。精确的电压调节允许设计人员放心地选择具有较低电压容差的系统组件,从而能够在不影响可靠性的情况下降低系统成本和复杂度3301具有±33V的工作范围,可在需要反向接线情形防护的系统中运行。 此外,TVS3301还采用了小型SON封装,适用于空间受限的应用,与标准的SMA和SMB封装相比,尺寸显着缩小。低器件泄露电流和电容确保最大限度地降低了对受保护线路的影响。为了确保在产品的整个寿命期间提供靠保护,TI在125°C的环境下对TVS3301进行了5000次重复浪涌冲击测试,但器件性能未发生任何变化。 TVS3301是TI的平缓钳位系列浪涌器件中的一款产品。如需深入了解平缓钳位系列,请参阅“用于高效系统保护的平缓钳位浪涌保护技术”白皮书。 特性 保护特性符合针对工业信号线浪涌测试要...

  ESDS302,ESDS304器件是分别采用两通道和四通道配置的双向TVS ESD保护二极管阵列,用于高达12A(8 /20μs)的以太网和USB浪涌保护.ESDS302,ESDS304器件的额定ESD冲击消散值高达30kV,符合IEC 61000-4-2国际标准(> 4级)。 这些器件每通道具有2.3pF IO电容,因此非常适用于保护高速接口(如以太网1G和USB 2.0)。低动态电阻和低钳位电压确保系统级抗瞬变事件保护。 ESDS302,ESDS304器件采用符合行业标准的5引脚SOT23封装。 特性 IEC 61000-4-2 4级静电放电(ESD)保护 ±30kV接触放电

  ±30kV气隙放电 IEC 61000-4-4瞬态放电(EFT)保护 80A(5 /50ns) IEC 61000-4-5浪涌保护 12A(8 /20μs) 低浪涌钳位电压在12A Ipp下为6V IO电容: 2.3pF(典型值) 直流击穿电压:4.5V(最小值) 超低泄漏电流:3nA(典型值) 支持速率高达1Gbps的高速接口 工业温度范围: -40°C至+ 125°C 简易直通布线) 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 ESD 保护和 TVS 浪涌二极管   Number of channels (#) IO c...

  这款八二极管阵列专为高电流,低占空比应用而设计,典型用于感应负载的反激式电压钳位。双桥连接使该器件特别适用于双极驱动步进电机。 肖特基二极管技术的使用通过降低正向压降和缩短反向恢复时间来实现高效率。 单个单片芯片采用密封CERDIP和铜引线°C环境,但峰值电流能力降低。 UC2610采用塑料和陶瓷设计,适用于-25°C至125°C的环境,同时具有降低的峰值电流能力;塑料中的UC3610在0°C至70°C的温度范围内具有更高的额定电流。 特性 单片八极管阵列 出色的效率 低正向电压

  快速恢复时间 高峰值电流 小尺寸 参数 与其它产品相比 ESD 保护和 TVS 浪涌二极管   Rating Operating temperature range (C) Package Group Package size: mm2:W x L (PKG)   UC3610 UC2610 Catalog     Catalog     0 to 70     -40 to 85     PDIP 8 SOIC 16     PDIP 8     See datasheet (PDIP)16SOIC: 106 mm2: 10.3 x 10.3 (SOIC 16)     See datasheet (PDIP)    ...

  TVS1801设备可以分流高达30 A的IEC 61000-4-5故障电流,以保护系统免受高功率瞬变或雷击。该设备经受了通过42Ω阻抗耦合的1kV IEC 61000-4-5开路电压的常见工业信号EMC要求1801使用反馈机制确保故障期间的精确扁平钳位,保持系统暴露低于传统TVS二极管。严格的电压调节允许设计人员选择具有较低电压容差的系统组件,从而降低系统成本和复杂性,同时不会牺牲稳健性。 TVS1801具有±18V的工作范围,可在需要防止反接线条件的系统中进行操作。 此外,TVS1801采用小型SON封装,专为空间受限应用而设计,具有显着的尺寸与标准SMA和SMB包相比减少。低器件泄漏和电容确保对受保护线路的影响最小。为了在产品的整个使用寿命期间提供强大的保护,TI测试TVS1801在125°C时不会发生5000次浪涌电击,而器件性能没有任何变化。 TVS1801是TI的Flat-Clamp系列的一部分。电涌装置。有关Flat-Clamp系列的更深入了解,请参阅 Flat-Clamp浪涌保护技术以获得高效的系统保护白皮书。 特性 工业信号线浪涌测试保护 双向极性可防止双极信号或错误接线-μs浪涌电...

  TVS2201设备可以分流高达30 A的IEC 61000-4-5故障电流,以保护系统免受高功率瞬变或雷击。该设备经受了通过42Ω阻抗耦合的1kV IEC 61000-4-5开路电压的常见工业信号EMC要求2201使用反馈机制确保故障期间的精确平板钳位,保持系统暴露低于传统TVS二极管。严格的电压调节允许设计人员选择具有较低电压容差的系统组件,从而降低系统成本和复杂性,同时不会牺牲稳健性。 TVS2201具有±22V的工作范围,可在需要防止反接线条件的系统中进行操作。 此外,TVS2201还提供小型SON封装,专为空间受限应用而设计,具有显着的尺寸与标准SMA和SMB包相比减少。低器件泄漏和电容确保对受保护线路的影响最小。为了在产品的使用寿命期间提供强大的保护,TI测试TVS2201在125°C时不会发生5000次浪涌电击,而且器件性能没有任何变化。 TVS2201是TI的Flat-Clamp系列的一部分。电涌装置。有关Flat-Clamp系列的更深入了解,请参阅 Flat-Clamp浪涌保护技术以获得高效的系统保护白皮书。 特性 工业信号线浪涌测试保护 双向极性可防止双极信号或错误接线-μs浪涌电...

  这款八二极管阵列专为高电流,低占空比应用而设计,典型用于感应负载的反激式电压钳位。双桥连接使该器件特别适用于双极驱动步进电机。 肖特基二极管技术的使用通过降低正向压降和缩短反向恢复时间来实现高效率。 单个单片芯片采用密封CERDIP和铜引线°C环境,但峰值电流能力降低。 UC2610采用塑料和陶瓷设计,适用于-25°C至125°C的环境,同时具有降低的峰值电流能力;塑料中的UC3610在0°C至70°C的温度范围内具有更高的额定电流。 特性 单片八极管阵列 出色的效率 低正向电压

  快速恢复时间 高峰值电流 小尺寸 参数 与其它产品相比 ESD 保护和 TVS 浪涌二极管   Rating Operating temperature range (C) Package Group Package size: mm2:W x L (PKG)   UC2610 UC3610 Catalog     Catalog     -40 to 85     0 to 70     PDIP 8     PDIP 8 SOIC 16     See datasheet (PDIP)     See datasheet (PDIP)16SOIC: 106 mm2: 10.3 x 10.3 (SOIC 16)    ...

  ESDS302,ESDS304器件是分别采用两通道和四通道配置的双向TVS ESD保护二极管阵列,用于高达12A(8 /20μs)的以太网和USB浪涌保护.ESDS302,ESDS304器件的额定ESD冲击消散值高达30kV,符合IEC 61000-4-2国际标准(> 4级)。 这些器件每通道具有2.3pF IO电容,因此非常适用于保护高速接口(如以太网1G和USB 2.0)。低动态电阻和低钳位电压确保系统级抗瞬变事件保护。 ESDS302,ESDS304器件采用符合行业标准的5引脚SOT23封装。 特性 IEC 61000-4-2 4级静电放电(ESD)保护 ±30kV接触放电

  ±30kV气隙放电 IEC 61000-4-4瞬态放电(EFT)保护 80A(5 /50ns) IEC 61000-4-5浪涌保护 12A(8 /20μs) 低浪涌钳位电压在12A Ipp下为6V IO电容: 2.3pF(典型值) 直流击穿电压:4.5V(最小值) 超低泄漏电流:3nA(典型值) 支持速率高达1Gbps的高速接口 工业温度范围: -40°C至+ 125°C 简易直通布线) 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 ESD 保护和 TVS 浪涌二极管   Number of channels (#) IO c...

  这种四二极管阵列设计用于通用单独二极管或高速大电流桥。它对高速功率MOSFET驱动器的输出特别有用,其中需要肖特基二极管来钳制由驱动线上的振铃引起的任何负偏移。这些二极管也非常适合用作驱动感性负载(如继电器)时的电压钳通过降低正向压降和缩短反向恢复时间,肖特基二极管技术的使用具有高效率。这种单片单芯片采用密封CERDIP和铜制造,可用于电机驱动应用中的电流续流路径。 - 塑料包装。 UC1611采用陶瓷设计,适用于-55°C至125°C环境,但峰值电流能力较低:塑料UC3611在0°C至70°C环境温度范围内具有较高的额定电流。

  特性 Matched, Four-Diode Monolithic Array High Peak Current Low-Cost MINIDIP Package Low-Forward Voltage Parallelable for Lower VF or Higher IF Fast Recovery Time Military Temperature Range Available 参数 与其它产品相比 ESD 保护和 TVS 浪涌二极管   Rating Operating temperature range (C) Package Group Package size: mm2:W x L (PKG)   UC3611 UC1611 Catalog     Military     0 to 70     -55 to 125     PD...

  与其它产品相比 ESD 保护和 TVS 浪涌二极管   Number of channels (#) IO capacitance (Typ) (pF) Vrwm (V) IEC 61000-4-2 contact (+/- kV) IEC 61000-4-5 (A) Features Bi-/uni-directional IO leakage current (Max) (nA) Rating Operating temperature range (C) Package Group Package size: mm2:W x L (PKG) Dynamic resistance (Typ) (Ω) Clamping voltage (V)   TVS2701 TVS0701 TVS1401 TVS1801 TVS2201 TVS3301 1     1     1     1     1     1     40     55     45     44     80     40     27     7     14     18     22     33     8     8     8     8     8     8     27     30     30     30     30     27     Flat-clampingSurge Protection     Flat-clampingSurge Protection     Flat-clampingSurge Protection     Flat-clampingSurge Protection     Flat-clampingSurge Protection     Flat-clampingSurge Protection     Bi-Directional     Bi-Directional     B...

  与其它产品相比 ESD 保护和 TVS 浪涌二极管   Number of channels (#) IO capacitance (Typ) (pF) Vrwm (V) IEC 61000-4-2 contact (+/- kV) IEC 61000-4-5 (A) Features Bi-/uni-directional IO leakage current (Max) (nA) Rating Operating temperature range (C) Package Group Package size: mm2:W x L (PKG) Dynamic resistance (Typ) (Ω) Clamping voltage (V)   TVS0701 TVS1401 TVS1801 TVS2201 TVS2701 TVS3301 1     1     1     1     1     1     55     45     44     80     40     40     7     14     18     22     27     33     8     8     8     8     8     8     30     30     30     30     27     27     Flat-clampingSurge Protection     Flat-clampingSurge Protection     Flat-clampingSurge Protection     Flat-clampingSurge Protection     Flat-clampingSurge Protection     Flat-clampingSurge Protection     Bi-Directional     Bi-Directional     B...

  ESDS314,ESDS312是一种单向TVS ESD保护二极管阵列,用于高达25A(8 /20μs)的以太网,USB和通用数据线器件的额定ESD冲击消散值达到了IEC 61000-4-2(4级)国际标准中规定的最高水平。 这些器件每通道具有4.5pF IO电容,因此非常适合用于保护高速接口,如以太网10/100/1000,USB 2.0和GPIO。低动态电阻和低钳位电压确保系统级抗瞬变事件保护。 ESDS314, ESDS312器件采用符合行业标准的5引脚SOT23封装。 特性 IEC 61000-4-2 4级静电放电(ESD)保护 ±30kV接触放电

  ±30kV气隙放电 IEC 61000-4-4瞬态放电(EFT)保护 80A(5 /50ns) IEC 61000-4-5浪涌保护 25A(8 /20μs) 低浪涌钳位电压在25A Ipp下为6.5V IO电容: 4.5pF(典型值) 直流击穿电压:5.5V(最小值) 超低泄漏电流:5nA(典型值) 支持速率高达5Gbps的高速接口 工业温度范围:-40°C至+ 125°C 简易直通布线) 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 ESD 保护和 TVS 浪涌二极管   Number of channels (#)...

  TVS1401设备可以分流高达30 A的IEC 61000-4-5故障电流,以保护系统免受高功率瞬变或雷击。该器件符合通用工业信号EMC要求的1 kV IEC 61000-4-5开路电压,通过42Ω阻抗耦合1401采用反馈机制确保故障期间的精确扁平钳位,保持系统暴露低于传统TVS二极管。严格的电压调节允许设计人员选择具有较低电压容差的系统组件,从而降低系统成本和复杂性,同时不会牺牲稳健性。 TVS1401具有±14 V的工作范围,可在需要防止反接线条件的系统中进行操作。 此外,TVS1401采用小型SON封装,设计为空间受限的应用,具有重要意义与标准SMA和SMB封装相比尺寸减小。低器件泄漏和电容确保对受保护线路的影响最小。为了在产品的整个使用寿命期间提供强大的保护,TI测试TVS1401在125°C时不会发生5,000次浪涌电击,而器件性能没有任何变化。 TVS1401是TI ?? Flat-Clamp系列产品的一部分浪涌装置。有关Flat-Clamp系列的更深入了解,请参阅用于高效系统保护的平钳位电涌保护技术白皮书。 特性 针对工业信号线浪涌测试的保护 双向极性启用双极信号或错误接线 V,...

  如何通过电流检测放大器和理想二极管来解决电池剩余电池寿命估算和电池充电电路保护的问题

  智能手机,平板电脑和其他类型的便携式设备需要越来越小的外形尺寸和更低的功耗率。它们也变得越来越复杂,它们所包含的功能数量...

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  温度开关是通过双金属片来完成电路保护的,起初,双金属片处于接触状态,电路导通,当电路温度逐渐升高时,....

  TPD3F303 适用于 SIM 卡接口且具有集成 VCC 钳位的 EMI 滤波器

  TPD3F303是一款用于SIM卡接口的三通道集成型EMI滤波器。该器件集成了一个V CC 钳位,用于在V CC 线路上提供系统级的ESD保护。在CLK线Ω的终端电阻器,并在DATA和RST线Ω终端。 低通滤波器阵列降低了EMI辐射并提供了系统级的ESD保护。凭借其小外形封装及易用型引脚配置,TPD3F303滤波器可适合广泛的应用,例如:移动手机,PDA,视频控制台,笔记本电脑等等。 TPD3F303专为抑制那些容易遭受电磁干扰的系统中的EMI /RFI噪声而设计。该滤波器系列内置一个ESD保护电路,用于防止应用在遭受远远超过IEC 61000-4-2(等级4)规格值的ESD应力时受损.TPD3F303的规定工作温度范围为-40°C至85°C。 特性 双向EMI /RFI滤波和具有集成ESD保护功能的线路终端 牢固可靠的ESD保护超过了IEC 61000-4-2(等级4)规格的要求 ±15-kV人体模型(HBM) ±15-kV IEC 61000-4-2(接触放电) ±15-kV IEC 61000-4-2(空气间隙放电) 击穿电压:6V 低噪声CRC滤波器拓扑结构 集成型V CC 钳位免除了增设外部ESD保护的需要 采用节省空间...

  TPD2S701-Q1 汽车类 USB 2 通道数据线路 Vbus 短路和 IEC ESD 保护

  TPD2S701-Q1是一款用于汽车高速接口(如USB 2.0)的双通道线路V BUS 短路和IEC61000 -4-2 ESD保护器件.TPD2S701-Q1包含两个数据线路nFET开关。这些开关通过提供业界一流的带宽,实现最小的信号衰减,同时可保护内部系统电路(在VD +和VD-引脚上) ,使其免受过压情况的损坏,从而确保安全的数据通信。 在这些引脚上,此器件可实现直流电高达7V的过压保护。这为USB V BUS 轨道的数据线路短路提供了充分保护。该过压保护电路提供业界最可靠的V BUS 短路隔离,能在200ns内关闭数据开关,并保护上游电路免受有害电压和电流尖峰影响。 此外,TPD2S701-Q1只需要5V的单一电源,这优化了电源树的大小和成本。该器件允许通过电阻分压器网络调整OVP阈值和钳位电路,为优化系统保护提供了一种简单且济高效的方法(适用于任何收发器).TPD2S701-Q1还包括一个 FLT 引脚,该引脚会在器件出现过压状况时发出指示,并在过压状况消除后自动复位。 TPD2S701-Q1还在VD +和VD-引脚上集成了系统级别的IEC 61000-4-2和ISO 10605 ESD钳位,因此在应用中无需再配置高压,低电容的外部TVS钳位电路。 ...

  TPD4E02B04-Q1 适用于 USB Type-C 和 HDMI 2.0 的 4 通道 ESD 保护二极管

  TPD4E02B04-Q1是一种经过汽车认证的双向TVS ESD保护二极管阵列,用于USB Type-C和HDMI 2.0电路保护.TPD4E02B04-Q1 ESD冲击消散值高达10kV,符合ISO 10605(330pF,330Ω)ESD标准.TPD4E02B04的额定ESD冲击消散值也达到了IEC 61000-4-2国际标准(4级)中规定的最高水平。 p

  该器件的每个通道均具有一个0.25pF IO电容,适用于保护速率高达10Gbps的高速接口(例如第2代USB 3.1)。低动态电阻和低钳位电压确保系统级抗瞬变事件保护。 TPD4E02B04-Q1采用符合行业标准的USON-10(DQA)封装。该封装采用直通布线mm,能够简化实现并缩短设计时间。 /p

  该器件还具有未经过汽车认证的型号:TPD4E02B04。 特性 符合AEC-Q101 IEC 61000-4-2 4级ESD保护 ±12kV接触放电 ±15kV气隙放电 ISO 10605(330pF,330Ω)ESD保护 ±10kV接触放电 ±10kV气隙放电 IEC 61000-4-4瞬态放电(EFT)保护 80A(5 /50ns) IEC 61000-4-5浪涌保护 2A(8 /20μs) IO电容: 0.25pF(典型值) 直流击穿电压:5.5V(最小值) 超低泄...

  ESD204是一种双向TVS ESD保护二极管阵列,用于高达5.5A(8 /20μs)的HDMI和USB浪涌保护.ESD204的额定ESD冲击消散值达到了IEC 61000-4-2(4级)国际标准中规定的最高水平。 ESD204提供低钳位和高差分带宽,使器件可干净地传输高速信号,并且为下游器件提供强大的保护。该器件具有每通道有一个0.55pF IO电容,适用于保护速率高达6Gbps的高速接口(例如HDMI 2.0,HDMI 1.4,USB 3.0和以太网1G)。低动态电阻和低钳位电压确保系统级抗瞬变事件保护。 ESD204采用符合行业标准的USON-10(DQA)封装。该封装采用直通布线mm,能够简化实现并缩短设计时间。 特性 IEC 61000-4-2 4级静电放电(ESD)保护 ±30kV接触放电

  ±30kV气隙放电 IEC 61000-4-4瞬态放电(EFT)保护 80A(5 /50ns) IEC 61000-4-5浪涌保护 5.5A(8 /20μs) 低浪涌钳位电压在5.5AI PP 下为8.5V IO电容: 0.55pF(典型值)

  符合HDMI 2.0标准 直流击穿电压:5.5V(最小值) 超低泄漏电流:10nA(最大值)

  TPD2E1B06 用于 USB 接口的双通道系统级 ESD 保护器件

  TPD2E1B06是一款双通道超低电容ESD保护器件。它提供±10KV IEC接触ESD保护。其1pF线路电容值使得这款器件适合于广泛应用。典型应用接口为USB 2.0,低压差分信令(LVDS)和I2C。有两个针对TPD2E1B06的常见布局布线方法并且都在部分中突出显示。 特性 为低压输入输出(IO)接口提供系统级的静电放电(ESD)保护 IEC 61000-4 -2 4级接触ESD额定值 IO电容值1pF(典型值) 直流(DC)击穿电压7V(最小值) 超低泄漏电流10nA(最大值) 低ESD钳位电压 车用温度范围:-40°C至125°C 小型易于走线的DRL封装 应用范围 游戏机 电子书 便携式媒体播放器

  数码摄像机 参数 与其它产品相比 ESD 保护和 TVS 浪涌二极管   Number of Channels (#) IO Capacitance (Typ) (pF) Breakdown Voltage (Min) (V) IEC 61000-4-2 Contact (+/- kV) IEC 61000-4-2 Air-Gap (+/- kV) Interface Features Bi-/Uni-Directional IO Leakage Current (Max) (nA) Rating Operating Temperature Range (C) Package Gro...

  TPD1E04U04 适用于 HDMI 2.0 和 USB 3.0 并具有低动态电阻的单通道 ESD 保护二极管

  TPD1E04U04是一款单向TVS ESD保护二极管,用于为HDMI 2.0和USB 3.0电路提供保护.TPD1E04U04的额定ESD冲击消散值高于IEC 61000-4-2(4级)国际标准中规定的最高水平。 该器件特有一个0.5pF IO电容,适合于保护速率高达6Gbps的高速接口,例如HDMI 2.0和USB 3.0接口。低动态电阻和超低钳位电压可为敏感的SoC提供针对瞬变事件的系统级保护。 TPD1E04U04采用符合行业标准的0402(DPY)封装。

  特性 IEC 61000-4-2 4级静电放电(ESD)保护 ±16kV接触放电

  ±16kV气隙放电 IEC 61000-4-4瞬态放电(EFT)保护 80A(5 /50ns) IEC 61000-4-5浪涌保护 2.5A(8 /20μs) IO电容:0.5pF(典型值),0.65pF(最大值) 超低ESD钳位电压 16A TLP时为8.9V -16A TLP时为-4.6V 低R DYN IO与GND之间为0.25Ω GND与IO之间为0.18Ω 直流击穿电压:5V(最小值) 超低泄漏电流:10nA(最大值 支持速率最高达6Gbps的高速接口 工业温度范围:-40°C至+ 125°C 符合行业标准的0402封装

  TPD3S714-Q1是一套单芯片解决方案,可为汽车USB集线器,音响主机,后座娱乐系统,远程信息处理和媒体接口应用中的USB连接器的V BUS 和数据线路提供电池短路保护,短路保护以及ESD保护中的小外形尺寸,隔离电源。集成的数据开关提供了出色的带宽,能够在USB发生电池短路时最大限度地减少信号衰减。高达1GHz的带宽可利用汽车USB环境中常见的长系留线缆来实现干净的USB 2.0高速(480Mbps)眼图。 电池短路保护可隔离内部系统电路,防止其受到V BUS_CON ,VD +和VD-引脚上任何过压情况的影响。在这些引脚上,TPD3S714-Q1能够针对热插拔和直流事件处理高达18V的过压情况。过压保护电路可提供业界最可靠的电池短路隔离,能够关闭开关并保护上游收发器免受有害电压和电流尖峰的影响.V BUS_CON 脚还提供了一个最高限值为0.5A的精确限流负载开关。过流保护会自动限制电流,以便在发生接地短路时防止上游电源轨发生压降。此外,该器件还在V BUS_CON ,VD +和VD-引脚上集成了系统级IEC 61000-4-2和ISO 10605 ESD保护,无需使用高电压,低容值的外部ESD二极管。 特性 符合AEC-Q10...

  TPD3S014-Q1 适用于汽车 USB 主机端口的限流开关和 D+/D- ESD 保护器件

  TPD3S014-Q1集成器件配有一个限制负载开关和一个基于双通道瞬态电压抑制器(TVS)的静电放电(ESD)保护二极管阵列,适用于USB接口。 TPD3S014-Q1器件适用于可能出现大电容负载和短路的应用(如USB接口); TPD3S014-Q1可提供短路保护和过流保护。当输出负载超过电流限制阈值时,TPD3S014-Q1通过在恒定电流模式下运行即可将输出电流限制到安全水平。快速过载响应特性有助于减轻5V主电源的负担,当输出短路时可以快速调节电源。电流限制开关的上升和下降此时受到控制,力求尽量减小器件开关过程中的浪涌电流。 TPD3S014-Q1支持0.5A的持续电流二极管阵列的额定ESD冲击消散值高于IEC 61000-4-2国际标准中规定的最高水平。 此器件高度集成,采用易于布线的DSV封装,可对音响主机,USB集线器和媒体接等应用中的USB接口提供强力电路保护。 特性 符合AEC-Q100标准(2级) 环境温度范围:-40°C至+ 105°C

  持续电流额定值为0.5A 固定的恒流限值为0.85A(典型值) 快速过流响应 - 2μs 集成输出放电 反向电流阻断 短路保护功能 过热保护,支持自动重启

  TVS二极管SM8S系列(SM8S10A、SM8S11A、SM8S12A、SM8S13A、SM8S1....

  系统级ESD电路保护设计需要考虑因素?系统级和器件级的ESD有什么区别?

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